今年1月初，阿特斯集團公司發布新聞宣布，我們已經成功向全球市場累計交付2．6吉瓦阿特斯抗LeTID高效PERC組件。這是阿特斯在開發和提供高效率、高質量、高附加值太陽能組件產品方麵不斷努力，並取得突破性成果的一個重要裏程碑。
LeTID （Lightand elevated Temperature Induced Degradation），業界稱為“光照和高溫誘導衰減”，或者叫“光熱衰減”。名稱有些拗口，但是值得大家花些時間去了解它，因為它會極大地影響你的太陽能組件和電站發電性能。
光伏行業對LID（Light Induced Degradation），也就是“光致衰減”現象已經很了解。通常情況下，隻要光伏組件暴露在陽光下就會發生LID（光致衰減），在短時間（幾天或幾周）內就能達到飽和的衰減。行業對於LID（光致衰減）的研究也已經非常充分，產生機製也獲得一致認可，主要是矽材料內的硼氧缺陷。因為晶體生長方法的差異，單晶矽材料內間隙氧含量遠高於多晶，從而LID衰減也遠高於多晶。兩到三年前PERC技術的推廣還受限於LID（光致衰減），隨著抗LID衰減技術的突破使LID得到比較有效的控製，加之設備的廣泛應用，PERC技術得以大規模導入。
然而LeTID衰減機製不同，它通常發生在光照和高溫（＞ 50°C）兩個條件同時滿足的情況下，並且LeTID對於PERC組件的發電量影響很大。PERC組件在實驗室的測試條件和電站實際工作環境中都存在LeTID（光熱衰減）現象。在組件工作溫度超過50°C時，不論是單晶還是多晶PERC組件都會發生LeTID（光熱衰減），衰減率最高可達10％。
阿特斯技術研發團隊通過多年對材料、工藝和生產設備的長期深入研究，開發出了具有自主知識產權的LeTID控製技術。這使得阿特斯成為少數幾家掌握了在大規模生產過程中降低和控製LeTID技術的太陽能電池和組件製造商之一。
新南威爾士大學（Universityof New South Wales，簡稱 UNSW） 2018年11月發布的一份研究報告顯示，阿特斯基於黑矽和多晶PERC技術的P4組件的開路電壓（Voc）在166小時的輻照、75°C測試條件下，隻有0．3％的衰減。這個測試結果佐證了阿特斯P4組件優異的抗LeTID衰減性能。
所以下次當您再購買PERC太陽能組件時，無論單晶還是多晶，請務必先了解製造商對LeTID的重視和了解程度。同時可以問問他們如何控製和解決LeTID問題，並請他們向您展示一些可信的第三方測試報告。幾年後你將會為此感到慶幸。
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