本發明涉及單晶矽錠及其製造方法。其底部側直胴部的特性與頂部側直胴部及中部側直胴部的特性相近似，高品位單晶矽的製品數率高，而且在直胴部整個長度上的品質大致均勻。並可按同一形狀反複製造，在每批製品間，底部的形狀沒有偏差。這種效果是通過控製底部２２的直徑Ｄ2使得直胴部側底部２ａ的外表麵相對於直胴部１的外表麵連續具有１０—２５度的傾斜角θ而獲得。
提拉單晶矽的裝置
一種提拉矽單晶裝置，包括裝置主體，其中配置坩堝且坩堝包括石英坩堝部件和坩堝保護部件，環繞坩堝外部配置加熱元件，在加熱元件外部配置保溫筒，和在保溫筒和裝置主體之間配置隔熱材料，其中由碳質材料製造的保溫筒和／或坩堝保護部件內側至少上部區域用熱分解碳膜覆蓋。
直拉生長單晶矽期間實時監測和控製氧的一氧化矽探針
一種接近實時定量化諸如直拉矽熔體的熔體矽池揮發的和熔體上方氣氛中存在的一氧化矽的數量的方法。優選的方法包括將從矽熔體上方氣氛提取的含有一氧化矽的氣體試樣與反應劑反應生成可檢測的反應產物，測定所生成反應產物的量，和將所測定反應產物的量換算成氣氛中存在的一氧化矽量。一氧化矽的量化用於監視和／或控製矽熔體的氧量或從矽熔體正在提拉的單晶矽中的氧含量。還公開了一種一氧化矽探針和使用該探針監視和／或控製氧的一種係統。
雙電極單晶矽電容加速度傳感器及其製造方法
一種雙電極單晶矽電容加速度傳感器，包括一質量塊，至少兩根彈性梁，若幹細長片，由底部挖孔的矽外延層構成，支撐彈性梁的台座，上部由矽外延層構成，下部由氧化層將其與襯底隔開，起電絕緣作用，細長片側麵用來製作橫向可變電容器的活動電極，質量塊和細長片的底麵用來製作縱向可變電容器的活動電極，橫向可變電容器的固定電極由若幹與襯底電絕緣但與襯底硬連接的細長片構成，縱向可變電容器的固定電極由襯底麵構成。
通過控製拉速分布製造單晶矽錠和晶片的方法及其產品
一種矽錠按一拉晶速率分布下進行，其拉速要足夠高以限製間隙凝聚，且還要足夠低以便將空位凝聚限定在晶錠軸向上的富含空位區上。將晶錠切割成許多半純晶片，每個晶片在中央具有富含空位區，包括空位凝聚，和在富含空位區與晶片邊緣之間的純度區，無空位凝聚和間隙凝聚。按照本發明的另一方麵，晶錠可按一拉晶速率分布拉製矽錠，其拉速要足夠高以便防止間隙凝聚，且還要足夠低以便防止空位凝聚。因此，當將該晶錠切割成晶片時，晶片為純矽晶片，可包含點缺陷，但無空位凝聚團的間隙凝聚團。
單晶矽－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結及其製作方法
本發明屬單晶矽－納米晶立方氮化硼薄膜的類Ｐ－Ｎ結及製作方法。單晶矽襯底加溫並加負偏壓，六角氮化硼作源加射頻功率，氬氣作工作氣體，在襯底上沉積c－ＢＮ薄膜，二者間形成類Ｐ－Ｎ結。再經鍍鋁滲鋁形成歐姆接觸電極。本發明在形成機理、構成結的晶體形態及製作方法上都不同於傳統Ｐ－Ｎ結，但具有傳統Ｐ－Ｎ結的電學特性，電容值增大１０６倍，由於c－ＢＮ能隙大於６．４ev的寬禁帶，使類Ｐ－Ｎ結具有耐高溫、抗輻射、大功率運轉等優良性能。
低濃度鈣雜質的石墨支撐容器及其在製造單晶矽中的應用
拉製單晶矽的方法和所用的石墨支撐容器。拉製單晶矽時，堿土金屬和堿金屬特別是鈣的濃度嚴重影響石英容器的不均勻反玻璃化。用低濃度鈣的石墨支撐容器，在拉單晶矽時可以使盛裝熔矽的透明石英容器不發生嚴重的不均勻反玻璃化，甚至在將支撐容器加熱到較高溫度時也具有以上效果，所述鈣濃度最好按重量計不超過約１ｐｐｍ。減少透明石英容器的局部結晶度，可以減少喪失石英容器結構完整性的可能性，從而提高矽晶體的質量，增加零位錯生長。
單晶矽片抗機械力的提高
本發明與單晶矽片的減薄方法相關，以便圓片最終厚度小於８０um。
生長富空位單晶矽的熱屏蔽組件和方法
在直接法拉晶機中采用熱屏蔽組件，用於有選擇地保護半導體材料的單晶錠料，以便控製錠料單晶結構中聚集的缺陷類型和數據密度。熱屏蔽組件具有一個上熱屏蔽，該上熱屏蔽連接到一個下熱屏蔽上。上熱屏蔽和下熱屏蔽相互連接，並滑動式連接到一個中間熱屏蔽上。下熱屏蔽能夠向上伸入中間熱屏蔽，以便使位於拉晶機單晶生長室內部的熱屏蔽組件的外形減至最小。然而，當必須控製單晶錠料的形成時，下熱屏蔽可以從中間熱屏蔽延伸，並向下伸入拉晶機坩堝中，以便非常靠近坩堝中熔化的半導體原材料的上表麵。還公開了應用熱屏蔽組件的方法。
用於單晶矽生長的非Dash縮頸法
製造單晶矽棒的非Dash縮頸法，該單晶矽棒按照直拉法拉晶。該方法其特征在於：在矽棒生長開始之前，讓一大直徑、無位錯的籽晶進行熱平衡，以避免形成由對單晶熱衝擊而產生的位錯。該方法其特征還在於：采用電阻加熱器來熔化籽晶的下麵末端，以便在它接觸熔體之前，形成一熔化的帽體。該方法生產出一種單晶矽棒，此種單晶矽棒具有大直徑的短縮頸，該大直徑的短縮頸是無位錯的，並能在生長和隨後的處理期間，支承至少重約１００kg的矽棒。
形成單晶矽層的方法和製造半導體器件的方法
在其上形成台階（４）的作為籽晶的絕緣襯底（１）上澱積單晶矽，形成矽外延層（７）。在低溫甚至在其有相對低應變點的大玻璃襯底上均勻生長矽外延層（７），使它可能在其上製造大電流密度的高速半導體元件。
熱退火後的低缺陷密度單晶矽
一種具有中心軸、通常垂直於中心軸的正麵和反麵、正麵與反麵之間的中心平麵、外圍邊沿、以及從中心軸延伸到外圍邊沿的半徑的單晶矽晶片。此晶片包含第一和第二軸對稱區。第一軸對稱區從外圍邊沿向內徑向延伸，含有矽自填隙作為占優勢的本征點缺陷，且基本上無聚集的填隙缺陷。第二軸對稱區以空位為占優勢的本征點缺陷，它包含從正麵向中心平麵延伸的表麵層和從表麵層向中心平麵延伸的本體層，其中存在於表麵層中的聚集空位缺陷的數量密度低於本體層中的濃度。
從低缺陷密度的單晶矽上製備矽－絕緣體結構
本發明涉及一種矽－絕緣體（SOI）結構，它有一層低缺陷密度器件層，還可以有一具有較好吸附雜質能力的基底矽片。該器件層包含一中央軸，一圓周邊緣，一個從中央軸延至圓周邊緣的半徑，以及一個第一軸對稱區，其中基本沒有堆積本征點缺陷。另外本發明還針對這樣一種SOI結構，其有一片切氏單晶矽基底矽片，該基底矽片在經受幾乎任意電子學器件製作過程都要采用的熱處理周期時，能夠形成一個理想的氧澱析物非均勻深度分布。
標定單晶矽晶圓晶向的方法
一種涉及微機械和微電子領域的用於標定單晶矽晶圓晶向的方法。通過一套精心設計的比對圖案和隨之而進行的預刻蝕加工，將晶圓的晶向清晰地暴露出來，通過觀察不同的比對圖案所形成的刻蝕結果，可以將晶圓的晶向標定誤差控製在±0.1°之內，采用數字圖象處理技術對刻蝕結果作進一步的處理，則該標定精度還可以提高到±0.05°或者更高的水平。
製備具有均勻熱過程的單晶矽的方法
一種生產單晶矽錠的Czochralski法具有一均勻的熱過程。在該方法中，在晶錠的主體和尾錐生長的整個過程中使加到側麵加熱器上的功率保持基本上恒定，而在主體的第二個一半和尾錐生長過程中逐漸增加加到底部加熱器上的功率。本方法能得到一種晶錠，使從該晶錠生產出的晶片具有較少超過約0.2微米的光點缺陷，同時具有改善的柵氧化層完整性。
單晶矽片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的製備方法
本發明公開了一種單晶矽片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的製備方法。采用位向分別為（100）及（111）的兩種單晶矽片為載膜襯底，通過磁控濺射沉積25～150nm厚度的純鐵膜，再將純鐵膜和在硫化溫度下能產生80kPa壓力所需質量的升華硫粉封裝於石英管中，抽真空後密封置於加熱爐中以3℃/min的升溫速率加熱至400～500℃進行熱硫化反應10～20h，以2℃/min的速率降溫至室溫。本發明簡化了直接濺射二硫化鐵時通入硫蒸氣或硫化氫的複雜過程，所合成的二硫化鐵薄膜具有較標準的化學計量成分，不出現過渡相；薄膜與襯底之間具有較高的附著力，不易產生局部剝落；可以為關於襯底晶體結構和晶格參數對二硫化鐵晶體生長影響規律的研究提供實驗樣品。
單晶矽高效複合切割方法及其切割係統
一種單晶矽高效複合切割方法，其特征將是將待切割的單晶矽棒裝夾於電火花線切割機床上，利用固結有金剛石磨料的金屬線作為切割線進行電火花線切割，充分發揮電火花線切割加工速度快和固結磨料金屬線上的金剛石磨料切割效果好的優點，達到快速高效實現對單晶矽棒進行切割的目的，同時使被切割的單晶矽表麵自然形成具有減反射效果的絨麵結構。本發明具有方法簡單，加工效率高，質量好等一係列優點。
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